tranzystor polowy FET
Na podstawie wyjaśnień do pytań egzaminacyjnych UKE
Tranzystor polowy (FET) to element sterowany napięciem — prąd drenu zależy od napięcia bramka-źródło. Wyróżniamy JFET (ze złączem) i MOSFET (z izolowaną bramką). FET-y mają bardzo wysoką impedancję wejściową (10^6–10^12 Ω) i są szeroko stosowane w stopniach wejściowych odbiorników radiowych.
MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) ma bramkę izolowaną od kanału warstwą SiO2 o grubości kilku nm. Rezystancja DC bramki: >10^12 Ω. Prąd bramki w stanie ustalonym ≈ 0. Przy przełączaniu prąd bramki = C·dV/dt (ładowanie pojemności). MOSFET jest podstawą nowoczesnej elektroniki cyfrowej.
Pytania egzaminacyjne (2)
d1-45 W tranzystorach polowych prąd drenu sterowany jest przez
W tranzystorach polowych prąd drenu sterowany jest przez
W tranzystorze polowym (FET) prąd drenu jest sterowany napięciem bramka-źródło (Vgs). W odróżnieniu od tranzystora bipolarnego (sterowanego prądem bazy), FET jest elementem sterowanym napięciowo — pobiera znikomy prąd bramki. To daje mu bardzo wysoką impedancję wejściową.
Tip: FET = sterowany napięciem (bramka-źródło). BJT = sterowany prądem (baza). To kluczowa różnica.
d1-256 W idealnym tranzystorze MOSFET prąd wpływający do bramki jest:
W idealnym tranzystorze MOSFET prąd wpływający do bramki jest:
W idealnym MOSFET bramka jest całkowicie izolowana od kanału warstwą tlenku (SiO2). Dlatego prąd bramki jest zerowy — bramka pobiera ładunek tylko przy przełączaniu (ładowanie pojemności bramki). W stanie ustalonym prąd bramki = 0. Rezystancja wejściowa dąży do nieskończoności.
Tip: MOSFET = izolowana bramka = zerowy prąd bramki w stanie ustalonym. To jego główna zaleta.