Tranzystor to podstawowy element aktywny współczesnej elektroniki — od wzmacniaczy w.cz. po stopnie mocy nadajników. Znajomość trzech konfiguracji (WE, WK, WB) i różnicy między BJT a FET to fundament radiotechniki na egzaminie.
Trzy konfiguracje
Wspólny emiter (WE): wejście baza-emiter, wyjście kolektor-emiter. Najczęstsza konfiguracja — duże wzmocnienie napięciowe i prądowe, odwraca fazę. Wspólny kolektor (WK/wtórnik emiterowy): wejście baza-kolektor, wyjście emiter. Wzmocnienie napięciowe ≈1, duże prądowe — bufor impedancyjny. Wspólna baza (WB): wejście emiter-baza, wyjście kolektor. Niska impedancja wejściowa, stosowana na VHF/UHF.
BJT vs FET
BJT (bipolarny): sterowany PRĄDEM bazy. Ic = β × Ib. Impedancja wejściowa: 1-10 kΩ. FET (polowy): sterowany NAPIĘCIEM bramki. Prąd bramki ≈ 0. Impedancja wejściowa: >10⁶ Ω. MOSFET: bramka izolowana tlenkiem — prąd bramki = 0 w stanie ustalonym. Punkt pracy tranzystora ustala się dzielnikiem R1/R2 na bazie. Kondensator bocznikujący rezystor emiterowy (bypass) zwiększa wzmocnienie AC.
Na egzaminie
WE = obciążenie w kolektorze. WK = obciążenie w emiterze. WB = wejście na emiterze. BJT = sterowany prądem, FET = napięciem. PNP: baza ujemna wzgl. emitera. Bypass capacitor na Re = wyższe wzmocnienie AC.
Gdzie szukać więcej
Symulator: Falstad Circuit Simulator (online, darmowy) — buduj i testuj układy tranzystorowe. Książka: 'The Art of Electronics' (Horowitz & Hill) — biblia elektroniki.