Radiotechnika 1 pytań
tranzystory
Na podstawie wyjaśnień do pytań egzaminacyjnych UKE
BJT (Bipolar Junction Transistor): sterowany prądem bazy, Ic = β·Ib. Impedancja wejściowa: 1-10 kΩ. FET (Field Effect Transistor): sterowany napięciem Vgs, prąd bramki ≈ 0. Impedancja wejściowa: 10^6-10^12 Ω. MOSFET dominuje w logice cyfrowej i mocy, BJT wciąż stosowany w RF i analogu.
BJTFETsterowanie prądowesterowanie napięciowe
Pytania egzaminacyjne (1)
d1-254 Tranzystory bipolarne i polowe sterujemy odpowiednio:
Tranzystory bipolarne i polowe sterujemy odpowiednio:
A napięciem i prądem
B prądem i prądem
C prądem i napięciem
Tranzystor bipolarny (BJT) jest sterowany prądem bazy — prąd kolektora Ic = β × Ib. Tranzystor polowy (FET) jest sterowany napięciem bramka-źródło — prąd drenu zależy od Vgs. To fundamentalna różnica: BJT = sterowanie prądowe, FET = sterowanie napięciowe.
Tip: BJT = prądem. FET = napięciem. Kolejność w pytaniu: bipolarny i polowy = prądem i napięciem.